[9] Maxwell-Schrödinger hybrid simulation for optically controlling quantum states: A scheme for designing control pulse
T. Takeuchi; S. Ohnuki; T. Sako Phys. Rev. A, 91, 033401-1 - 13, 2015/03/03 DOI: 10.1103/PhysRevA.91.033401
[8] On the cluster structure of linear-chain fermionic wave functions
J. Paldus; T. Sako; G.H.F. Diercksen J. Math. Chem., 53, 2, 629 - 650, 2015/02/01 DOI: 10.1007/s10910-014-0445-7
[7] Electronic structure of the 4 × 4 silicene monolayer on semi-infinite Ag(111)
H. Ishida; Y. Hamamoto; Y. Morikawa; E. Minamitani; R. Arafune; N. Takagi New Journal of Physics, 17, 1, 015013 - [1-8], 2015/1/27 DOI: doi:10.1088/1367-2630/17/1/015013
2014
[6] Comparison Between Maxwell–Schrödinger and Maxwell–Newton Hybrid Simulations for Multi-Well Electrostatic Potential
吸着ナノ分子系の界面原子構造と電子・スピン物性
研究目的
基板表面上に有機分子を配列して、実用レベルで動作する新機能素子を作成するためには、表面の電子状態を原子レベルで理解する必要がある。本研究の目的は、表面上に構築された分子組織体の安定原子構造、熱平衡での電子・スピン物性、光・電場など外場に対する応答を理論計算により解明することである。
領域内での役割と必要性
単一分子磁石、強磁場下の2 次元コンポーネント、表面電気伝導など、領域内の最先端の実験結果に即した理論解析を、領域内の実験グループと連携して行う。また強電子相関効果を考慮した有限バイアス電圧下での伝導理論等の難問について、領域内の理論グループと連携して取り組む。
研究内容
(1) 界面の安定原子構造の解明 分子組織体への電子・スピンの注入効率は、吸着サイト等に敏感であり、安定な界面原子構造の決定は重要である。第一原理DFT 計算プログラムを用いて、基板表面・吸着表面の安定原子配置を明らかにする。 (2) 詳細な一電子状態の解明 エムベッディッドGreen 関数法による半無限系DFT 計算を行い、表面の詳細な電子状態を調べる。電極-分子-電極系に対してトンネル電流を計算して、電子・スピン流の注入効率を検討する。 (3) 強相関効果の解明、外場への動的応答 系の本質を捉えたモデルハミルトニアンを導き、量子多体計算、量子化学計算により近藤効果など の物理現象を調べる。またMaxwell-Schrödinger方程式の同時積分により、吸着分子の光や電場などに対する非線形応答を明らかにする。
追加情報
研究課題番号:25110006 科研費データーベースはこちら
メンバー
Papers List
2017
H. Ishida; A. Liebsch; D. Wortmann
Physical Review B, 96, 12, 125413-1 - 125413-14, 2017/9/11
DOI: 10.1103/PhysRevB.96.125413
2016
H. Ishida
Journal of Physics: Condensed Matter, 29, 1, 1 - 7, 2016/11/10
DOI: 10.1088/0953-8984/29/1/015002
J. Bouaziz; S. Lounis; S. Bluegel; H. Ishida
Physical Review B, 94, 4, 045433-1 - 045433-12, 2016/7/26
DOI: 10.1103/PhysRevB.94.045433
Yuji Hamamoto; Ikutaro Hamada; Kouji Inagaki; Yoshitada Morikawa
PHYSICAL REVIEW B, 93, 24, 245440-1 - 245440-9, 2016/6/30
DOI: 10.1103/PhysRevB.93.245440
H. Ishida; D. Wortmann
Physical Review B, 93, 11, 115415, 2016/3/9
DOI: 10.1103/PhysRevB.93.115415
2015
T. Takeuchi; S. Ohnuki; T. Sako
Phys. Rev. A, 91, 033401-1 - 13, 2015/03/03
DOI: 10.1103/PhysRevA.91.033401
J. Paldus; T. Sako; G.H.F. Diercksen
J. Math. Chem., 53, 2, 629 - 650, 2015/02/01
DOI: 10.1007/s10910-014-0445-7
H. Ishida; Y. Hamamoto; Y. Morikawa; E. Minamitani; R. Arafune; N. Takagi
New Journal of Physics, 17, 1, 015013 - [1-8], 2015/1/27
DOI: doi:10.1088/1367-2630/17/1/015013
2014
T.Takeuchi; S.Ohnuki; T.Sako
IEEE Journal of Quantum Electronics, 50, 5, 334 - 339, 2014/03/20
DOI: 10.1109/JQE.2014.2310196
T. Takeuchi; S. Ohnuki; T. Sako
Progress in Electromagnetics Research, 148, 73 - 82, 2014
DOI: 10.2528/PIER14063001
H. Ishida
Physical Review B, 90, 23, 235422 - [1-15], 2014/12/15
DOI: 10.1103/PhysRevB.90.235422
H. Ishida; A. Liebsch
Physical Review B, 90, 20, 205134 - [1-11], 2014/11/24
DOI: 10.1103/PhysRevB.90.205134
R. Itakura; M. Fushitani; A. Hishikawa; T. Sako
Journal of Physics B, 47, 19, 195602-1 - 9, 2014/10/14
DOI: 10.1088/0953-4075/47/19/195602
T. Sako; J. Paldus; G.H.F. Diercksen
Physical Review A, 89, 6, 062501-1 - 9, 2014/06/03
DOI: 10.1103/PhysRevA.89.062501