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システムID: ohno 大野 恭秀 （オオノ ヤスヒデ） Ohno Yasuhide メールアドレス：（ログイン後閲覧できます） |
| 所属班 | A02班 表面・界面構造の設計・作製 |
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| 研究課題 | 新規ナノカーボン材料の表面／界面修飾による特性制御とデバイス応用 |
| 役割 | 研究分担者 |
| 役職 | 准教授 |
| 所属研究機関 | 徳島大学 大学院理工学研究部 |
| 所在地 |
〒770-8506 徳島県 徳島市南常三島町2-1 |
| 電話番号 | （ログイン後閲覧できます） |
| FAX番号 | （ログイン後閲覧できます） |
| 専門分野 | 半導体工学 |
| 研究キーワード | ナノカーボンデバイス |
Papers List
2014
[3] Direct graphene synthesis on a Si/SiO2 substrate by a simple annealing process
T. Ikuta; K. Gumi; Y. Ohno; K. Maehashi; K. Inoue; K. Matsumoto
Mater. Res. Express, 1, ２, 025028, 2014/5/27
DOI: 10.1088/2053-1591/1/2/025028
2013
[2] Silicon-Nitride-Passivated Bottom-Up Single-Electron Transistors
G. Hackenberger; Y. Azuma; S. Kano; D. Tanaka; M. Sakamoto; T. Teranishi; Y. Ohno; K. Maehashi; K. Matsumoto; Y. Majima
Jpn. J. Appl. Phys. , 52, 11R, 110101, 2013/10/21
DOI: 10.7567/JJAP.52.110101
[1] pH Sensor Based on Chemical-Vapor-Deposition-Synthesized Graphene Transistor Array
Nursakinah Binti Mohd Zaifuddin ; Shogo Okamoto; Takashi Ikuta; Yasuhide Ohno; Kenzo Maehashi; Masato Miyake; Paul Greenwood; Kenneth B. K. Teo; Kazuhiko Matsumoto
Jpn. J. Appl. Phys., 52, 6S, 06GK04, 2013/6/20
DOI: 10.7567/JJAP.52.06GK04